2011
№6
Обзор развития технологии полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN)
В настоящей статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), являющемуся в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой — синей и зеленой — области спектра и для производства белых светодиодов, которые являются базовыми для производства светотехнических устройств. Также отмечено, что GaN, будучи широкозонным полупроводником, является перспективным для силовой и СВЧ-электроники.
Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Полупроводниковая светотехника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- Мощные светодиоды CREE для освещения: основные преимущества и перспективы применения
- Система параметров светодиодов. Электрические, фотометрические, спектральные (колориметрические) и энергетические характеристики
- Исследование фотобиологической опасности светодиодных осветительных приборов для нужд железнодорожного транспорта
- Опыт внедрения светодиодного освещения в ЖКХ г. Москвы. Выводы и предложения
- Новое поколение светодиодов Cree: компактнее и дешевле
- Светодиодная лампа Philips Novallure
- Светодиоды в архитектуре. Опыт внедрения светодиодных технологий в архитектурном освещении
- Антивандальный светодиодный светильник SecuriPack